屏蔽层存储温度过高会引发材料老化、导电性能下降、结构变形及可靠性降低等问题，具体影响如下：

一、材料老化与性能退化

1. 导电层氧化
   高温会加速屏蔽层中金属导电材料（如铜、银）的氧化反应。例如，某品牌电磁屏蔽膜在30℃、80%RH环境下存储3个月后，因导电层氧化导致屏蔽效能下降20%。氧化后的导电层电阻率显著升高，影响电磁干扰（EMI）抑制能力。

2. 胶层软化与失效
   屏蔽层常通过胶层与基材粘合，高温会使胶层软化甚至分解。例如，当温度超过胶层耐热极限时，粘接力下降可能导致屏蔽层脱落，尤其在振动或弯曲环境中易引发分层。

3. 聚合物基材降解
   若屏蔽层采用聚合物基材（如聚酯、聚酰亚胺），高温会加速其热降解，导致机械强度降低、脆性增加。例如，聚酯薄膜在100℃以上存储时，拉伸强度可能下降30%，影响抗冲击性能。

二、导电性能劣化

1. 电阻率升高
   以海底电缆半导电屏蔽层为例，温度超过80℃时，试样电阻率显著上升，正温度系数效应明显。电阻率升高会导致发热量增加，形成恶性循环，加速材料老化。

2. 屏蔽效能下降
   高温环境下，屏蔽层对电磁波的反射和吸收能力减弱。例如，某无线信号屏蔽器在芯片温度从65℃升至115℃时，平均无故障时间从10万小时缩短至3万小时，因高温导致频率稳定性变差，屏蔽效果时好时坏。

三、结构变形与尺寸不稳定

1. 热膨胀与翘曲
   屏蔽层材料（如金属箔、复合膜）与基材的热膨胀系数差异可能导致高温下翘曲或变形。例如，PCB电路板在高温存储时，若基材与铜箔热膨胀系数不匹配，可能引发焊点疲劳或线路断裂。

2. 网格结构氧化
   金属网格屏蔽膜在高温下边缘易氧化，产生摩尔纹或眩晕效果，不适用于高精度场景。氧化后的网格电阻升高，屏蔽效能降低。

四、可靠性降低与寿命缩短

1. 加速老化
   高温会缩短屏蔽层的使用寿命。例如，某存储产品闪存芯片在高温下老化速度加快，数据保存期限和可靠性下降。一般来说，设备寿命与温度升高的平方成反比。

2. 工艺兼容性变差
   高温可能影响屏蔽层与其他材料的兼容性。例如，开料、钻孔等工序需在温度≤23℃、湿度≤65%环境下操作，防止材料吸湿或静电吸附灰尘，否则会导致胶层老化、粘接不良。

五、典型案例与数据

1. 电磁屏蔽膜案例
   某品牌电磁屏蔽膜在30℃、80%RH环境下存储3个月后，屏蔽效能下降20%，因导电层氧化导致电阻率升高。改用0℃~10℃、相对湿度≤65%的存储条件后，屏蔽效能稳定在60dB@1GHz以上。

2. 海底电缆案例
   海底电缆半导电屏蔽层在80℃时导热系数达峰值0.83 W/(m·K)，但超过80℃后显著下降，同时交流电气强度由25℃的104.5 kV/mm降低至90℃的90.8 kV/mm，影响绝缘性能。

3. 无线信号屏蔽器案例
   某款无线信号屏蔽器设备芯片温度在65℃时，平均无故障时间约为10万小时；温度升至115℃时，平均无故障时间仅3万小时，因高温导致材料特性破坏。